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晶圓硅片紅外均勻加熱

日期:2023-11-03 16:49

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這幾年我們在蘇州,大連以及無錫的客戶群體,需要將8寸晶圓外表面均勻加熱到一定溫度,對加熱要求極高,以實現加熱后在下一工序中達到更好的效果。

紅外線加熱具有高效、均勻、可控和非接觸的特點,適用于各種硅片的加熱需求。因此客戶選用了我們的紅外線輻射加熱器(朗普紅外線加熱數據庫以及光學運算,優化了熱源燈絲內部發光體結構、反光板結構以及陣列布燈,使被加熱表面接受均值的紅線輻射能量,有效降低了溫度不均帶來的不良工藝質量問題)。

客戶加熱要求:

1、在直徑φ200加熱范圍內溫度均勻性盡量高,溫度一致性≤±6℃

2、出具加熱模擬方案及熱分布模擬結果報告。

3、加熱迅速,300秒內加熱對象,能快速升溫200至400℃。

?紅外線加熱拓撲圖.png

于是我們根據客戶需求量身定制了加熱方案:

1,通過優化燈絲熱能分布結構,做到類矩形加熱(常規為雙尖形),減少中間聚熱,兩頭冷的不均勻熱場現象;

2,并通過朗普數據庫+光學運算,得出陣列布燈距高比;

3,通過背面弧形光學反光曲率設計,進一步修正輻照場的均勻度;

4,通過電控系統和非接觸式測溫探頭,進行閉環控制,進一步減少溫度過沖或者加熱不足導致的工藝問題。

硅片加熱 (1).jpg


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